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天眼查App顯示，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司于2024年9月29日公開(kāi)了一項(xiàng)名為“IGBT器件的制造方法”的發(fā)明專(zhuān)利，專(zhuān)利號(hào)為CN202411371352.8。該專(zhuān)利由劉偉、王鵬飛、陳鑫和劉磊共同發(fā)明，屬于IGBT器件技術(shù)領(lǐng)域。

該制造方法包括在n型半導(dǎo)體層內(nèi)形成若干個(gè)第一溝槽，通過(guò)傾斜的離子注入形成溝道注入?yún)^(qū)和p型體區(qū)，通過(guò)垂直的離子注入形成n型電荷存儲(chǔ)區(qū)，并通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)工藝形成第一柵極和第二溝槽。這一方法顯著減少了IGBT器件制造過(guò)程中的光刻工藝次數(shù)，從而降低了制造成本。

蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司位于江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城西北區(qū)20棟515室，此次公開(kāi)的專(zhuān)利展示了公司在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新能力。

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