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天眼查App顯示，中芯國際集成電路制造（北京）有限公司與中芯國際集成電路制造（上海）有限公司聯(lián)合申請的一項發(fā)明專利“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”于2023年6月29日正式公開。該專利的核心創(chuàng)新在于對準標記層的設(shè)計，其透光率低于基底和覆蓋層，從而在覆蓋層下仍能清晰識別對準標記層。

該專利的發(fā)明人包括宋孟夏、陳楠、馬德敬和朱娜。專利技術(shù)通過優(yōu)化對準標記層的尺寸、形貌和位置精度，確保其在覆蓋層厚度變化時仍能保持高精度，進而提升后續(xù)圖形化制程中的光學(xué)對準精度。這一技術(shù)突破不僅提高了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能，還為半導(dǎo)體制造工藝的進一步優(yōu)化提供了新的可能性。

中芯國際作為中國領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造企業(yè)，此次專利的公開再次展示了其在技術(shù)創(chuàng)新方面的實力。該專利的推廣應(yīng)用有望為半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的技術(shù)突破，推動整個行業(yè)的技術(shù)進步。

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