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受英特爾3nm工藝外包延后等因素 臺(tái)積電或?qū)⑾抡{(diào)今年資本支出

DoNews10月17日消息 日前,有消息稱臺(tái)積電受到英特爾 3 納米工藝外包延后、美國新廠 4nm 工藝量產(chǎn)延遲等諸多因素影響,該公司今年資本指出降至 300 億美元以下。

據(jù)悉,臺(tái)積電即便下調(diào)今年的資本支出,也會(huì)增加研發(fā)費(fèi)用,繼續(xù)推進(jìn)先進(jìn)工藝的研發(fā)。

積電迅速擴(kuò)大資本支出,去年達(dá)到 363 億美元的歷史新高。今年上半年,實(shí)際資本支出為 181.1 億美元,其中第二季度為 81.7 億美元,較第一季度的 99.4 億美元略有下降。

標(biāo)簽: 臺(tái)積電
受英特爾3nm工藝外包延后等因素 臺(tái)積電或?qū)⑾抡{(diào)今年資本支出
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