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SK 海力士:目前并未有探討或規(guī)劃退出消費者用產(chǎn)品事業(yè)的計劃

DoNews1月15日消息,近日有傳聞爆料稱,SK 海力士計劃停產(chǎn)消費級存儲器。對此,SK 海力士向媒體回應(yīng)稱,目前并未有探討或規(guī)劃退出消費者用產(chǎn)品事業(yè)的計劃。綜合此前報道,SK 海力士去年曝光的內(nèi)部會議顯示,大宗 DRAM 產(chǎn)能增長將變得十分有限,難以追上不斷攀升的需求,或進(jìn)一步加劇內(nèi)存漲價的局面。

根據(jù)消息人士 BullsLab 分享的會議 PPT,海力士預(yù)測,除高帶寬內(nèi)存(HBM)和 SOCAMM 模塊外,大宗 DRAM 在 2028 年以前的增長都會受到限制,這主要是因為主流內(nèi)存廠商已將重心轉(zhuǎn)向 AI 相關(guān)需求,分配給消費級市場的產(chǎn)能沒有特別明顯增長。

另據(jù)報道,SK海力士(SK Hynix)計劃斥資130億美元在韓國建造一座芯片封裝廠,以應(yīng)對人工智能芯片需求的激增。SK海力士周二表示,將斥資19萬億韓元在首爾以南的清州建造一座先進(jìn)的AI芯片封裝和測試工廠。該新工廠定于4月開工建設(shè),預(yù)計2027年底完工,將增加SK海力士在韓國的芯片封裝產(chǎn)能。

該公司也在美國建設(shè)工廠。根據(jù)該公司發(fā)布的一份聲明,在AI存儲需求激增之際,SK海力士“正積極應(yīng)對日益增長的HBM需求”。該公司表示,預(yù)計從2025年到2030年,HBM市場將以年均33%的速度增長。

標(biāo)簽: SK海力士 HBM DRAM AI芯片
SK 海力士:目前并未有探討或規(guī)劃退出消費者用產(chǎn)品事業(yè)的計劃
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