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美光:全球內(nèi)存短缺將延續(xù)至 2026 年后

DoNews12月19日消息,據(jù) The Verge 報道,全球三大內(nèi)存供應商之一美光在最新財報中預計,受 AI 驅(qū)動的需求激增影響,DRAM 和 NAND 的「緊張行業(yè)狀況」將持續(xù)至 2026 年以后,且「在可預見的未來」供給將明顯落后于需求。

美光 CEO Sanjay Mehrotra 在周三的財報電話會上表示,過去數(shù)月客戶的 AI 數(shù)據(jù)中心建設計劃顯著推高了對內(nèi)存與存儲的需求預估,公司雖將于明年把 DRAM 與 NAND 出貨提高約 20%,但仍不足以滿足各類市場的廣泛需求,PC 出貨在明年可能因此受到影響。

在 AI 浪潮帶動下,美光財季營收再創(chuàng)新高,達到 136.4 億美元,較去年同期的 87.1 億美元顯著增長。隨著 OpenAI、Meta、Microsoft 與 Google 等公司為數(shù)據(jù)中心部署更強算力,附帶高帶寬內(nèi)存(HBM)的芯片需求快速上行,美光正將資源優(yōu)先傾斜至 HBM 業(yè)務。

近期,該公司關閉了面向消費者的英睿達 Crucial 業(yè)務,以集中滿足 AI 客戶的更高價值訂單;HBM 相較標準 DRAM 需要約三倍硅晶圓,從而進一步擠壓面向 PC、智能手機、智能電視與汽車等日常消費設備的 DRAM 供給。

Mehrotra 稱「供給將在可預見的未來顯著低于需求」,并表示盡管投入巨大,公司仍「無法滿足所有細分市場其他客戶的需求」。為擴充產(chǎn)能,美光計劃于 2027 年在愛達荷州新廠投產(chǎn),2030 年在紐約州新廠投產(chǎn);但在新產(chǎn)能落地前,行業(yè)性內(nèi)存供需不平衡將延續(xù)。

標簽: 美光 HBM DRAM NAND
美光:全球內(nèi)存短缺將延續(xù)至 2026 年后
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