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中微半導(dǎo)體設(shè)備公司前三季度營(yíng)收 80.63 億元,同比增長(zhǎng)約 46.40%

DoNews10月29日消息,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(中微公司)今日發(fā)布 2025 年第三季度報(bào)告:前三季度營(yíng)業(yè)收入為 80.63 億元,同比增長(zhǎng)約 46.40%。其中刻蝕設(shè)備收入 61.01 億元,同比增長(zhǎng)約 38.26%;LPCVD 和 ALD 等薄膜設(shè)備收入 4.03 億元,同比增長(zhǎng)約 1332.69%。

前三季度凈利潤(rùn)為 12.11 億元,較去年同期增長(zhǎng)約 32.66%。

2025 年前三季度研發(fā)支出 25.23 億元,較去年同期增長(zhǎng)約 63.44%,研發(fā)支出占公司營(yíng)業(yè)收入比例約為 31.29%。

凈利潤(rùn)增長(zhǎng)的主要原因?yàn)椋?/p>

(1)2025 年前三季度營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng) 46.40% 下,毛利較上年增長(zhǎng)約 8.27 億元;

(2)由于市場(chǎng)對(duì)中微開發(fā)多種新設(shè)備的需求急劇增長(zhǎng),2025 年公司顯著加大研發(fā)力度,以盡快補(bǔ)短板,實(shí)現(xiàn)趕超,為持續(xù)增長(zhǎng)打好基礎(chǔ)。2025 年前三季度公司研發(fā)支出較上年同期增長(zhǎng) 9.79 億元(增長(zhǎng)約 63.44%),研發(fā)支出占公司營(yíng)業(yè)收入比例約為 31.29%,遠(yuǎn)高于科創(chuàng)板均值;

(3)由于市場(chǎng)波動(dòng),公司 2025 年前三季度計(jì)入非經(jīng)常性損益的股權(quán)投資收益為 3.29 億元,較上年同期增加約 2.75 億元。

中微公司表示,公司針對(duì)先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運(yùn)量顯著提升,先進(jìn)邏輯器件中段關(guān)鍵刻蝕工藝和先進(jìn)存儲(chǔ)器件的超高深寬比刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn):

CCP 方面,公司用于關(guān)鍵刻蝕工藝的單反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品保持高速增長(zhǎng),60 比 1 超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備成為國(guó)內(nèi)標(biāo)配設(shè)備,量產(chǎn)指標(biāo)穩(wěn)步提升,下一代 90 比 1 超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備即將進(jìn)入市場(chǎng);

ICP 方面,適用于下一代邏輯和存儲(chǔ)客戶用 ICP 刻蝕設(shè)備和化學(xué)氣相刻蝕設(shè)備開發(fā)取得了良好進(jìn)展。加工的精度和重復(fù)性已達(dá)到單原子水平。

公司為先進(jìn)存儲(chǔ)器件和邏輯器件開發(fā)的 LPCVD、ALD 等多款薄膜設(shè)備已經(jīng)順利進(jìn)入市場(chǎng),并且設(shè)備性能完全達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平,薄膜設(shè)備的覆蓋率不斷增加。

公司硅和鍺硅外延 EPI 設(shè)備已順利運(yùn)付客戶端進(jìn)行量產(chǎn)驗(yàn)證,并且獲得客戶高度認(rèn)可。在泛半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域,公司正在開發(fā)更多化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備,已陸續(xù)付運(yùn)至客戶端開展生產(chǎn)驗(yàn)證。

中微半導(dǎo)體設(shè)備公司前三季度營(yíng)收 80.63 億元,同比增長(zhǎng)約 46.40%
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